الإلكترونيات
الوصلة الثنائية (الديود) بلورة واحدة نصفها من النوع P ونصفها من النوع N، وتتكوّن عند سطح الالتقاء منطقة استنزاف وجهد حاجز يسمحان بمرور التيار في اتجاه واحد فقط.
—
منطقة عند الوصلة خالية من حاملات الشحنة الحرة.
فولت
≈ ٠٫٧ فولت للسيليكون و ٠٫٣ فولت للجرمانيوم.
—
الطرف الموجب للبطارية مع P ⇐ يضيق الحاجز ويمرّ تيار كبير.
—
الطرف الموجب مع N ⇐ يتسع الحاجز ولا يمرّ إلا تيار تسرّب ضئيل.
شرط التوصيل الأمامي
جـ(المصدر) > جـح ⇐ يمرّ التيار
V > V_barrier
المقاومة الأمامية صغيرة جداً.
التوصيل العكسي
جـ عكسي ⇐ اتساع منطقة الاستنزاف
reverse bias
المقاومة العكسية كبيرة جداً.
الجهد على المقاومة
جـم = جـ − جـح
V_R = V − 0.7
لحساب التيار: ت = (جـ − جـح) ÷ م.
🧮 ديود سيليكون على التوالي مع مقاومة ١٠٠ أوم وبطارية ٤٫٧ فولت في التوصيل الأمامي. احسب التيار.
١. جهد الحاجز للسيليكون = ٠٫٧ فولت
٢. الجهد على المقاومة = ٤٫٧ − ٠٫٧ = ٤ فولت
٣. ت = جـم ÷ م = ٤ ÷ ١٠٠
٤. ت = ٠٫٠٤ أمبير = ٤٠ ملي أمبير
نصائح ذكية